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中国目前光刻机处于怎样的水平？

关于国产光刻机目前处于什么水平，网上的各种消息让人搞的有点乱。一边有人说我们的光刻机仍然处于90nm水平，一边又有人说我们的光刻机已经处于5nm水平了，国产光刻机究竟什么水平？

关于这个90nm和5nm水平，大部分是混淆了两个机器，虽然这两个机器名字只有一字之差，但是它所代表的意义就大不相同。

国产光刻机水平：目前是90nm水平，其它更加先进的仍旧处于实验室阶段，想要实现商用还需要很长一段时间。

2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。

但是这也是仅仅处于实验室阶段，也就是想要真正的投入商用还是需要很长一段时间。

国产蚀刻机水平：中微半导体做的蚀刻机已经达到了5nm水平，也得到了台积电的相关认证，可以说是非常领先的。

这里大部分人就是混淆了这个光刻机和蚀刻机两个概念，虽然它们只有一字之差，但是意义却大不相同。全球能做顶级蚀刻机的有好几家，而能做最顶级光刻机的只有荷兰的ASML一家。

在芯片生产过程中，光刻机相当于在一块晶圆上复印了一张画的图案（也就是芯片内部电路图的图案）而蚀刻机作用就是把光刻机复印的图案进行雕刻。

相比于光刻机，蚀刻机的地位并不是非常的重要，因为全球范围能做顶级蚀刻机的有好几家厂商，能做顶级光刻机的只有ASML一家独大。佳能和尼康也可以做光刻机，但是与ASML根本不是一个级别的。

可以说在芯片生产过程中，光刻机相当于一个人体的头部起着控制作用，而蚀刻机只能说是人体的四肢。脑部有选择性，它可以不用你这个四肢，也就是换用其它家的顶级蚀刻机，而光刻机就独此一家。

如果荷兰AMSL的光刻机是一流标准，日本的东芝是二流水平，则中国的光刻机应当在世界三流向二流过渡的水平。因为目前已透露的信息显示14nm芯片制造需要的光刻机已在试制中，28nm的光刻机已制造完成………正在调整完善中。

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光刻机是生产制造芯片的关键设备，是利用光刻机发出的紫外光源通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的硅片曝光，使光刻胶性质变化、达到图形刻印在硅片上形成电子线路图。

一、我国在光刻机制造行业里的位置。

光刻是最重要的制造芯片工艺技术;光源是光刻机的核心、光刻机首先取决于光源的波长;镜头是核心部分。这三者技术先进程度、直接影响到芯片工艺和芯片性能。而这正是我国在光刻机制造技术上的弱项。

世界目前光刻机生产水平可分三个梯队，第一梯队：美国英特尔、荷兰的ASML、第二梯队：台积电、三星、日本的尼康、佳能。

虽然中国目前高端芯片并不落后，但在性能和成本结合上没能跟上高端芯片商业量产需要。所以，在高端光刻机生产制造上，以0.7nm为一个级数、从技术工艺和市场份额上看，我国堪称是第三梯队水平。

二、我国光刻机发展起步较早，基础并不薄弱。

我国1958年中科院拉出了第一根硅单晶、即今天的硅晶圆，1965年中国研制出了65型接触式光刻机，1977年GK一3半自动光刻机诞生，1980年清华大学研制出第四代分布式投影光刻机、精度达到了3微米、已接近国际主流水平，仅次于美国。

本来我们可以和ASML在EUV光刻机技术上一争雄长，但现在落伍并被拉开了距离，原因多种、但路径选择上重视不够肯定是重大因素。

如：出身于中科院计算机所的柳传志应说离光刻机和芯片最近，1984年联想成立后却最后选择了贸工技路线，最后成了PC生产者和供应商。而台积电的张忠谋虽是机械系出身，看准了半导体优势，开创了半导体代工行业、做成了行业翘楚之一。

三、我国光刻机现状。

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